为了扩大QSiC SiC模块的出系选择范围，SemiQ推出了一系列采用SOT-227封装的列采1,200V MOSFET，可与或不与1,出系200V SiC肖特基二极管一起使用。
最近推出的列采 SemiQ SiC 模块建立在高性能陶瓷的坚实基础上，经过精心设计，出系可在苛刻的列采环境下始终如一地运行，实现了异常高的出系性能水平。改进的列采功能可实现更简化的设计配置和更高的功率密度。高击穿电压 (>1,出系400 V)，高温工作 (TJ= 175°C)，列采以及在整个工作温度范围内的出系低 Rds(On) 位移是 QSiC 模块的所有特性。此外，列采它们还提供最长的出系栅极氧化层寿命和稳定性、抗雪崩 (UIS) 和更长的列采短路耐受时间。
电动汽车充电、出系车载充电器 (OBC)、DC-DC 转换器、电动压缩机、燃料电池转换器、医疗电源、储能系统、太阳能和风能系统、数据中心电源、UPS/PFC电路以及其他汽车和工业电源应用是新型 QSiC 模块与我们现有的 SOT-227 SiC SBD 模块结合使用的目标市场。
为确保每个新的QSiC模块都具有稳定的栅极阈值电压和高质量的栅极氧化物，所有模块都经过晶圆级的栅极老化测试。除了有助于稳定外在故障率的老化测试外，还进行了包括高温反向偏置 (HTRB) 漏极应力、高湿度、高压和高温 (H3TRB) 漏极应力在内的应力测试，以保证工业使用所需的质量水平。
SemiQ 的新型 1,200V SOT-227 模块提供 20 mΩ、40 mΩ 和 80 mΩ SiC MOSFET 尺寸。
审核编辑：彭菁
